Номер детали производителя : | HS1J R3G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1J R3G(1).pdfHS1J R3G(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1J R3G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS1J R3G(1).pdfHS1J R3G(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AC (SMA) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | DO-214AC, SMA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS1J |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
50NS, 1A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W